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IXFR40N90P
Symbol Test Conditions
(T J = 25 ° C, Unless Otherwise Specified)
Characteristic Values
Min. Typ. Max.
ISOPLUS247 (IXFR) Outline
g fs
C iss
C oss
C rss
R Gi
V DS = 20V, I D = 20A, Note 1
V GS = 0V, V DS = 25V, f = 1MHz
Gate Input Resistance
18
30
14
896
58
1.5
S
nF
pF
pF
Ω
t d(on)
t r
t d(off)
t f
Q g(on)
Q gs
Q gd
Resistive Switching Times
V GS = 10V, V DS = 0.5 ? V DSS , I D = 20A
R G = 1 Ω (External)
V GS = 10V, V DS = 0.5 ? V DSS , I D = 20A
53
50
77
46
230
70
100
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
1 = Gate
2,4 = Drain
3 = Source
R thJC
0.42 ° C/W
R thCS
Source-Drain Diode
0.15
° C/W
Symbol Test Conditions
(T J = 25 ° C, Unless Otherwise Specified)
Characteristic Values
Min. Typ. Max.
I S
I SM
V SD
V GS = 0V
Repetitive, Pulse Width Limited by T JM
I F = I S , V GS = 0V, Note 1
40
160
1.5
A
A
V
t rr
I RM
Q RM
I F = 20A, -di/dt = 100A/ μ s,
V R = 100V, V GS = 0V
14.0
1.7
300
ns
A
μ C
Note:
1. Pulse test, t ≤ 300 μ s, duty cycle, d ≤ 2%.
IXYS Reserves the Right to Change Limits, Test Conditions, and Dimensions.
IXYS MOSFETs and IGBTs are covered
4,835,592
4,931,844
5,049,961
5,237,481
6,162,665
6,404,065 B1
6,683,344 6,727,585 7,005,734 B2
7,157,338B2
by one or moreof the following U.S. patents: 4,850,072
5,017,508
5,063,307
5,381,025
6,259,123 B1
6,534,343
6,710,405 B2 6,759,692 7,063,975 B2
4,881,106
5,034,796
5,187,117
5,486,715
6,306,728 B1
6,583,505
6,710,463
6,771,478 B2 7,071,537
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